銅鋁合金材料在整個(gè)測(cè)試過(guò)程中記錄在合金上的峰值電流密度圖?？梢姡阢~鋁合金材料上獲得了最高的峰值電流密度值。兩種合金的峰值電流密度分別達(dá)到298.3和377.8 μA/cm2。aa218 - t851合金的峰值電流密度值較低，最高可達(dá)60 μA/cm2。對(duì)于銅鋁合金材料峰值電流密度值接近零，最高約為11 μA/cm2。平均峰值電流密度分別為114.49 μA/cm2、73.03 μA/cm2、21.0 μA/cm2和2.38 μA/cm2。這說(shuō)明AA7050-T7451合金的腐蝕敏感性最高，對(duì)銅鋁合金材料的腐蝕速率最高。然而，值得注意的是，與銅鋁合金材料相比，該合金的峰值電流來(lái)自少數(shù)SLC位點(diǎn)。在高溫合金材料上，SLC位點(diǎn)數(shù)量最高，高電流密度值從合金表面的多個(gè)位點(diǎn)產(chǎn)生。這可能解釋了為什么在動(dòng)電位極化過(guò)程中在高溫合金材料上沒(méi)有觀察到偽鈍化現(xiàn)象，因?yàn)閬?lái)自點(diǎn)蝕部位的電流之和將非常顯著，淹沒(méi)了從氧化物覆蓋區(qū)域流出的總電流。
銅鋁合金材料去除腐蝕產(chǎn)物前的合金表面掃描電鏡圖像顯示，銅鋁合金材料上沒(méi)有SLC位點(diǎn)在AA6082-T6合金上甚至沒(méi)有觀察到與陰極Al-Fe-Si富相相關(guān)的溝槽。銅鋁合金材料在使用的測(cè)試環(huán)境中具有良好的耐腐蝕性能的原因可能是銅的含量不高。富銅粒子的電偶聯(lián)活性往往比富鐵和富硅粒子的電偶聯(lián)活性更顯著。然而，當(dāng)Mg2Si顆粒在晶界(GBs)處以析出相自由區(qū)(PFZs)的形式析出時(shí)，銅鋁合金材料在氯化物環(huán)境中更容易受到影響，這在合金的焊接熱影響區(qū)和過(guò)時(shí)效回火區(qū)(T7)最為常見。對(duì)于其他合金，在當(dāng)前回火條件下，與SLC形成相關(guān)的微觀組織因素很容易出現(xiàn)在其微觀組織中。這些因素包括AA2024的s相和富cu粒子團(tuán)簇，AA7050的η相(及其變體)和PFZs，以及AA2198的T1粒子。
這些易感銅鋁合金材料上的SLC部位被腐蝕產(chǎn)物覆蓋，這些部位是在腐蝕環(huán)內(nèi)發(fā)現(xiàn)的特別是在AA2198-T851的SEM圖像中顯示的。觀察到的腐蝕環(huán)是由SLC坑周圍區(qū)域與周圍環(huán)境的pH值差異造成的。溶解氧的還原反應(yīng)發(fā)生在周圍區(qū)域，而H+離子是由坑內(nèi)Al3+水解生成的。在銅鋁合金材料點(diǎn)蝕過(guò)程中，由于靜電電位差[9]的作用，H+離子從凹坑內(nèi)部遷移到凹坑口。因此,H +離子周圍存在坑/ SLC網(wǎng)站,導(dǎo)致當(dāng)?shù)販p少坑嘴周圍的pH值明顯結(jié)果在模擬的發(fā)展。同時(shí),雖然H +的主要還原生成氫氣氣泡出現(xiàn)在坑內(nèi),有些離子在坑口周圍被還原。清楚,將在銅鋁合金材料下面的部分中,是有一個(gè)低pH值之間的邊界區(qū)域在SLC網(wǎng)站和高pH值區(qū)域周圍的網(wǎng)站,和這個(gè)邊界定義的域腐蝕環(huán)所清楚地描述網(wǎng)站的黑色箭頭標(biāo)簽。
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