稀貴金屬薄膜是電子信息產(chǎn)業(yè)起核心支撐作用的戰(zhàn)略性材料。濺射靶材是制備薄膜的關(guān)鍵源材料，主要應(yīng)用于電子及信息產(chǎn)業(yè)，如集成電路、信息存儲、液晶顯示屏、激光存儲器、電子控制器件等；亦可應(yīng)用于玻璃鍍膜領(lǐng)域；還可以應(yīng)用于耐磨材料、高溫耐蝕、高檔裝飾用品等行業(yè)。
目前，在高端稀貴金屬靶材的制備主要集中在日本、美國、德國等國家。國內(nèi)與國際差距集中在濺射靶材上游材料主要在超高純原材料方面與服務(wù)于集成電路先進(jìn)制程的新產(chǎn)品兩大領(lǐng)域。針對這一現(xiàn)狀采用熔煉及塑性加工法制備了鎳鉑、鈷鉻鉑硼等靶材，采用粉末冶金法制備了釕及鈷鉻鉑二氧化硅靶。開發(fā)了鎳鉑靶微組織擇優(yōu)取向控制技術(shù)、高純釕靶批量制備技術(shù)、脆性靶材的成分控制及缺陷控制技術(shù)、含氧化物靶材的相界面結(jié)合控制技術(shù)。
稀貴金屬濺射靶材的關(guān)鍵制備技術(shù)及工程化應(yīng)用研究，成功制備鎳鉑（NiPt）、鈷鉻鉑硼（CoCrPtB）等靶材和釕（Ru）、鈷鉻鉑二氧化硅（CoCrPt-SiO2）靶。未來5年，世界濺射靶材的市場規(guī)模將超過160億美元。此次我國稀貴金屬濺射靶材制備問世，國內(nèi)濺射靶材企業(yè)的成長空間被打開。
中國市場上的靶材產(chǎn)品的主要性能指標(biāo)靶材度 99.995wt%、靶材主成分偏差0.5wt%以內(nèi)、靶材密度 98.5%、靶材與背板焊合率 98.5%。其中，今年7月鎳鉑靶材研發(fā)為中過市場打破國外對濺射靶材長期壟斷。
此外鍍膜靶材是通過磁控濺射、多弧離子鍍或其他類型的鍍膜系統(tǒng)在適當(dāng)工藝條件下濺射在基板上形成各種功能薄膜的濺射源。靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標(biāo)材料，用于高能激光武器中，不同功率密度、不同輸出波形、不同波長的激光與不同的靶材相互作用時，會產(chǎn)生不同的殺傷破壞效應(yīng)。蒸發(fā)磁控濺射鍍膜是加熱蒸發(fā)鍍膜、鋁膜等。更換不同的靶材，即可得到不同的膜系超硬、耐磨、防腐的合金膜等濺射靶材。
新時代，新技術(shù)層出不窮，我們關(guān)注，學(xué)習(xí)，希望在未來能夠與時俱進(jìn)，開拓創(chuàng)新。